插播：能華半導(dǎo)體、華燦光電、國星光電、聚能創(chuàng)芯、北方華創(chuàng)等企業(yè)參編《2022氮化鎵產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，詳情點(diǎn)文末“閱讀原文”。

SiC器件成本較高，所以產(chǎn)業(yè)界一直在進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，以降低成本。最近，“行家說三代半”留意到2項(xiàng)SiC設(shè)備新技術(shù)：

(相關(guān)資料圖)

這兩項(xiàng)技術(shù)目前查不到更多的資料，僅供參考、討論，歡迎大家留言發(fā)表看法。

9月7日，韓國電工技術(shù)研究院（KERI）宣布，他們與匈牙利設(shè)備企業(yè)SEMILAB簽訂了“SiC功率半導(dǎo)體離子注入及其評估技術(shù)”技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議。

SiC MOSFET等功率半導(dǎo)體有很多優(yōu)點(diǎn)，但其晶圓制造工藝非常具有挑戰(zhàn)性。通常是在高導(dǎo)電性SiC襯底上形成外延層，然后在外延層上來制造SiC芯片。但是KERI表示，在這一過程中，SiC外延層表面會(huì)變得粗糙，導(dǎo)致電子遷移率降低，而且現(xiàn)階段SiC外延片的價(jià)格也很高昂，阻礙了SiC器件的大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用。

所以為了解決這個(gè)問題，KERI采用了新的方法——將離子注入到?jīng)]有外延層的半絕緣碳化硅襯底上。

眾所周知，碳化硅材料堅(jiān)硬，需要高能離子注入，再進(jìn)行高溫?zé)嵬嘶鹨约せ铍x子，因此是一項(xiàng)難以實(shí)施的技術(shù)。然而，KERI表示，他們憑借自身10年來在碳化硅專用離子注入設(shè)備方面的操作經(jīng)驗(yàn)，成功地獲得了相關(guān)技術(shù)。

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KERI先進(jìn)半導(dǎo)體研究中心主任Kim Hyoung Woo博士說，“離子注入技術(shù)可以通過增加SiC器件中的電流，來取代昂貴的外延片，從而大大降低工藝成本，這項(xiàng)技術(shù)有望提高碳化硅功率半導(dǎo)體的價(jià)格競爭力，并極大地促進(jìn)大規(guī)模生產(chǎn)?！?/p>

作為這項(xiàng)離子注入技術(shù)的受讓方，SEMILAB預(yù)測，通過此次技術(shù)轉(zhuǎn)讓，他們將能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量SiC的標(biāo)準(zhǔn)化。SEMILAB計(jì)劃利用 KERI開發(fā)的專用設(shè)備，來評估SiC功率半導(dǎo)體的離子注入工藝。

SEMILAB韓國公司總裁Park Su-yong說，“通過開發(fā)專用設(shè)備，我們將能夠?qū)iC襯底上的注入工藝進(jìn)行在線監(jiān)測，以實(shí)現(xiàn)注入系統(tǒng)的即時(shí)、準(zhǔn)確和低成本生產(chǎn)控制，以及退火前注入的在線監(jiān)測。這將為確保具有出色均勻性和可重復(fù)性的高質(zhì)量離子注入的穩(wěn)定大規(guī)模生產(chǎn)工藝奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

通常SiC晶錠切割采用的是砂漿線多線切割或者金剛線切割，這種技術(shù)已經(jīng)非常成熟，但問題就是切割時(shí)參數(shù)的晶錠損耗太高了，所以很多企業(yè)在開發(fā)新技術(shù)嘗試解決這個(gè)問題。

最近，日本媒體報(bào)道了一項(xiàng)SiC晶錠切割技術(shù)——日本DryChemicals公司開發(fā)出一種工藝，自稱可將SiC襯底的生產(chǎn)成本降低 20-30%。

DryChemicals公司認(rèn)為，之所以晶錠切割損耗高，是因?yàn)樵谇懈顣r(shí)磨料產(chǎn)生了上下漂移，導(dǎo)致切割不夠精準(zhǔn)。

據(jù)該公司主管Masao Ikeda透露，他們的做法是——在進(jìn)行正式切割前，先在SiC晶錠上制作一些小凹槽，這些凹槽可以讓磨料有效穿透，這樣就可以防止切割漂移，從而最大限度地減少對襯底表面的損害。

他們認(rèn)為這項(xiàng)凹槽技術(shù)有幾個(gè)優(yōu)勢：

該公司透露，他們將在今年10月份開始幫客戶進(jìn)行SiC晶錠切割的來料加工，同時(shí)還會(huì)對外銷售他們的切割設(shè)備，他們預(yù)計(jì)第一年將售出5-10套設(shè)備。

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