C114訊 5月11日消息(岳明)由CIOE中國光博會與C114通信網(wǎng)聯(lián)合推出的大型研討會系列活動——“2023中國光通信高質(zhì)量發(fā)展論壇”之第五場線上論壇“光芯片與高端器件技術(shù)研討會”在今天召開。
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在研討會上,中國信息通信研究院技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)研究所高級工程師吳冰冰應(yīng)邀作了題為“光芯片器件及模塊的技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與未來趨勢”的主題演講。
吳冰冰指出,5G+數(shù)據(jù)中心時代,新型業(yè)務(wù)及應(yīng)用驅(qū)動數(shù)據(jù)流量增長,掀起光電子芯片器件及模塊行業(yè)新浪潮。光電子芯片器件是光通信的基礎(chǔ)與核心,全球市場規(guī)模呈增長態(tài)勢,高速率、集成化、大容量成為核心訴求;展望未來,三維集成、異質(zhì)集成等新工藝持續(xù)演進,業(yè)界廣泛探索CPO、線性驅(qū)動等降低能耗的新方案,空天地海一體化、通感一體化新應(yīng)用也對芯片器件提出新型要求。
光通信核心底座:重要性日益提升
我國把推進寬帶網(wǎng)絡(luò)發(fā)展、拓展融合應(yīng)用、全面推動數(shù)字化轉(zhuǎn)型作為搶抓戰(zhàn)略機遇的重要手段。十四五發(fā)展規(guī)劃明確提出,要加快推動5G網(wǎng)絡(luò)、千兆光纖網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),深化傳統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施數(shù)字化轉(zhuǎn)型,以寬帶網(wǎng)絡(luò)賦能數(shù)字經(jīng)濟、數(shù)字社會、數(shù)字政府、數(shù)字生態(tài)建設(shè)。
2022年2月,發(fā)改委、中央網(wǎng)信辦、工業(yè)和信息化部、國家能源局聯(lián)合印發(fā)通知,同意在京津冀、長三角、粵港澳大灣區(qū)、成渝、內(nèi)蒙古、貴州、甘肅、寧夏等8地啟動建設(shè)國家算力樞紐節(jié)點,并規(guī)劃了10個國家數(shù)據(jù)中心集群,“東數(shù)西算”工程正式啟動,推進能源和算力的跨區(qū)域協(xié)同調(diào)度,開創(chuàng)高質(zhì)量數(shù)字經(jīng)濟新局面。
而這一切的背后,是光網(wǎng)絡(luò)所構(gòu)筑的堅實底座。吳冰冰表示,光通信是發(fā)展5G、數(shù)據(jù)中心、算力網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)設(shè)施和前提,在拉動有效投資、促進信息消費、賦能千行百業(yè)等方面具有重要作用;光電子芯片器件及模塊是光通信的核心構(gòu)成部分,重要性日益提升。
產(chǎn)業(yè)核心訴求:高速率、集成化、大容量
吳冰冰表示,根據(jù)Omida數(shù)據(jù),2022年市場規(guī)模超130億美元,電信、數(shù)據(jù)中心、接入為主要應(yīng)用領(lǐng)域,不同細(xì)分產(chǎn)品中光收發(fā)模塊占比最高;高速率、集成化、大容量為光芯片器件及模塊的核心訴求。
高速率方面,數(shù)據(jù)中心、城域和干線整體向400G及以上演進升級。數(shù)據(jù)中心應(yīng)用場景中,隨著交換芯片容量提升,光模塊開始向400G/800G過渡;城域網(wǎng)和干線網(wǎng)應(yīng)用場景中,光接口向400G/800G發(fā)展演進。目前,400G光模塊標(biāo)準(zhǔn)體系趨于完備,產(chǎn)業(yè)界正在積極開展800G光模塊標(biāo)準(zhǔn)化及產(chǎn)品研制,1.6T研究熱度增加。
吳冰冰進一步指出,隨著速率提升至800Gb/s,相干技術(shù)方案在80km傳輸距離基礎(chǔ)上,進一步向10/40km更短距離延伸。在超高速率方面,高波特率和新型光電子芯片器件技術(shù)成為研究重點。
集成化方面,光電子芯片器件包含III-V族、硅光、薄膜鈮酸鋰等多種材料體系,在技術(shù)產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)成熟度和應(yīng)用場景方面,有著不同的特點。
其中,Ⅲ-Ⅴ族材料體系具有直接帶隙物理優(yōu)勢,光子集成技術(shù)起步早、成熟度相對較高,兼容有源和無源光器件功能平臺,尤其在激光器領(lǐng)域占有絕對優(yōu)勢;逐步由數(shù)通、電信向更寬泛應(yīng)用領(lǐng)域延伸。
硅光技術(shù)則融合了微電子和光子的優(yōu)勢,開辟芯賽道,近年來熱度不減,數(shù)通、電信為重要應(yīng)用領(lǐng)域。從產(chǎn)業(yè)鏈角度來看,硅光技術(shù)參與廠商眾多、產(chǎn)業(yè)鏈已初具雛形。從應(yīng)用場景來看,硅光技術(shù)在100/400/800G中短距應(yīng)用優(yōu)勢明顯;同時,硅光集成芯片規(guī)模商用有望使相干技術(shù)降低成本,基于硅光技術(shù)的相干光模塊在400G時代以ZR/ZR+為主要應(yīng)用;800G ZR/ER1/LR/LR1標(biāo)準(zhǔn)即將發(fā)布,硅光相干技術(shù)有望下沉至10km/40km應(yīng)用場景。
薄膜鈮酸鋰?yán)^承了鈮酸鋰晶體優(yōu)異的光電特性,并具有與半導(dǎo)體微納加工工藝兼容的優(yōu)勢,成為實現(xiàn)小型化、高帶寬、低損耗、高集成度調(diào)制器的熱門技術(shù)方案。吳冰冰指出,新型薄膜鈮酸鋰調(diào)制器具備支持超300GBaud潛力,未來有望在400G速率超長距、800G及以上速率相干光模塊領(lǐng)域等獲得市場認(rèn)可。
大容量方面,包括頻譜擴展、新型光纖、波長級調(diào)度、纖芯級調(diào)度等技術(shù)都可以提升光通信系統(tǒng)容量,但從底層技術(shù)來看,這都需要光電子芯片器件的創(chuàng)新。具體來看,頻譜擴展標(biāo)準(zhǔn)制定和應(yīng)用試點積極推進,芯片器件已趨于成熟;新型光纖領(lǐng)域,配套光電子芯片器件尚存在大量未解決的關(guān)鍵問題,需開展深入研究;全光交換領(lǐng)域,全光交換器件支撐大顆粒業(yè)務(wù)調(diào)度能力,除通信外,全光交換器件或在智算中心網(wǎng)絡(luò)、空間光子學(xué)、量子信息等領(lǐng)域得到更廣泛應(yīng)用。
未來發(fā)展趨勢:新工藝、新方案、新應(yīng)用
在談到未來發(fā)展趨勢時,吳冰冰用新工藝、新方案、新應(yīng)用進行了概括。
新工藝方面,隨著集成度和性能要求不斷提高,光電器件呈現(xiàn)出從傳統(tǒng)的單材料平面集成電路向三維集成和異質(zhì)集成演進的趨勢。
新方案方面,CPO無疑是當(dāng)前最火熱的話題。CPO的引入,大幅提升了帶寬密度和能量效率,光引擎靠近主機ASIC,大幅減少高速電通道損耗和阻抗不連續(xù)性,相較于可插拔帶寬密度提升一個數(shù)量級,能量效率優(yōu)化40%以上。根據(jù)Yole預(yù)計,2032年CPO市場將達(dá)到22億美元;在規(guī)模部署進程中將伴隨產(chǎn)業(yè)模式轉(zhuǎn)型,CPO將需要新的合作模式和戰(zhàn)略伙伴關(guān)系。
除CPO之外,線性驅(qū)動也成為新關(guān)注熱點,線性驅(qū)動意味著在模塊中無DSP或CDR,依靠高性能交換機SerDes實現(xiàn)相關(guān)功能,線性驅(qū)動可插拔與直驅(qū)CPO能耗基本相當(dāng),將成為降低能耗的有效途徑之一。
新應(yīng)用方面,空天地海一體化趨勢呈現(xiàn),對芯片器件提出抗輻照要求。空間光通信是多學(xué)科交叉的熱點研究領(lǐng)域,但常規(guī)芯片器件和特種光纖在外太空輻照條件下性能很快下降、甚至失效,空間光通信用光電芯片器件需具備抗輻照特性,目前仍存挑戰(zhàn)。
除此之外,通感一體光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用前景廣闊,需光電芯片器件有效支撐。通感一體化指感知與通信功能協(xié)同,通感一體光網(wǎng)絡(luò)可通過光纖故障分析定位功能提升網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性,并可通過傳感數(shù)據(jù)采集功能提高光纖應(yīng)用價值,業(yè)界及學(xué)術(shù)界已展開廣泛研究。
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