2020年美光三星等公司會推出新一代的DDR5內(nèi)存，最高速率可達(dá)6400Mbps，將逐步取代DDR4內(nèi)存?，F(xiàn)在的DRAM內(nèi)存技術(shù)還在升級，但是技術(shù)瓶頸也日趨明顯，研究人員正在尋找新的內(nèi)存替代技術(shù)，英國就找到了新方向——全新內(nèi)存延遲可低至10ns，功耗僅有現(xiàn)在1%。

多年來人們一直在尋求完美的“內(nèi)存”芯片，它既需要低延遲、高帶寬，也要功耗低(不需要頻繁刷新)，同時(shí)還得容量大，成本低，更重要的是具備斷電不損失數(shù)據(jù)的特性，可以說是NAND閃存及DRAM內(nèi)存的完美體。

這么多要求，做起來可真不容易，Intel的傲騰內(nèi)存是基于PCM相變內(nèi)存技術(shù)的，在可靠性、延遲等問題上已經(jīng)大幅領(lǐng)先現(xiàn)在的閃存，更接近DRAM內(nèi)存芯片了，不過超越內(nèi)存還達(dá)不到。

日前外媒報(bào)道稱，英國的研究人員找到了一種新型的“內(nèi)存”，它使用的是III-V族材料，主要是InAs砷化銦和AlSb銻化鋁，用這些材料制成的NVDRAM非易失性內(nèi)存具備優(yōu)秀的特性，在同樣的性能下開關(guān)能量低了100倍，也就是說功耗只有現(xiàn)有DRAM內(nèi)存的1%，同時(shí)延遲可低至10ns。

總之，這種新型材料制成的內(nèi)存芯片具備三大特性——超低功耗、寫入不破壞數(shù)據(jù)、非易失性，其性能相比現(xiàn)在的DRAM內(nèi)存倒是沒多大提升，10ns級別的延遲跟DDR4內(nèi)存差不多，但是上面三條特性，尤其是非易失性就足夠讓“內(nèi)存”革命了。

不過也沒法高興太早，英國研發(fā)人員現(xiàn)在只是找到了新一代III-V材料內(nèi)存的理論方向，真正大規(guī)模制造這種內(nèi)存還是沒影的事，就像是像傳了很久的MRAM、PCM、RRAM芯片一樣。

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